Περιγραφή μαθήματος

Το μάθημα έχει στόχο να διδάξει το φοιτητή την τεχνική σχεδιασμού ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (ΟΚ) με πολύ μεγάλη κλίμακα ολοκλήρωσης (VLSI) σε CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) τεχνολογία. Όπως είναι γνωστό η τεχνολογία αυτή είναι η επικρατέστερη απ' όλες τις σύγχρονες τεχνολογίες διότι, μεταξύ άλλων, προσφέρει χαμηλή κατανάλωση ισχύος, υψηλά περιθώρια θορύβου και είναι σχετικά εύκολη στη σχεδίαση. Το μάθημα περιλαμβάνει: Σύντομη εισαγωγή στις διαδικασίες κατασκευής CMOS ΟΚ, χαρακτηριστικά και λειτουργία MOS δομών, στατικά και μεταβατικά φαινόμενα ενός MOS αντιστροφέα, συνδυαστικά, ακολουθιακά και κυκλώματα CMOS δυναμικής λογικής, CMOS κυκλώματα εισόδου/εξόδου.

Βιβλιογραφία

# S. Kang, Y. Leblebici, CMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUITS Analysis and design, WCB/McGRAW-HILL, 1999.
# N. West, K. Eshragian, Principles of CMOS VLSI Design- A Systems Perspective, Addison-Wesley, 1988.
# K. Bernstein, K.M. Carrig, C.M. Durham, P.R. Hansen, D. Hogenmiller, E.J. Nowak, N.J. Rohrer, High Speed CMOS Design Styles, Kluwer Academic, 1999.

Προαπαιτούμενες γνώσεις

Αλγεβρα Boole, Ψηφιακά Ολοκληρωμένα Κυκλώματα.

Εξετάσεις, εργαστήρια

Πέραν της ενεργού συμμετοχής τους (ερωτήσεις/απαντήσεις) κατά τη διάρκεια διδασκαλίας οι φοιτητές απαιτείται να εκτελέσουν κατ' οίκον εργασία, να σχεδιάσουν (ηλεκτρικός και φυσικός σχεδιασμός) ένα CMOS ολοκληρωμένο κύκλωμα, σε επίπεδο ομάδας 2-3 μελών, χρησιμοποιώντας επαγγελματικά εργαλεία και τεχνολογικούς κανόνες και παραμέτρους σύγχρονου οίκου επεξεργασίας πυριτίου (silicon foundry) και να συμμετέχουν επιτυχώς στον τελικό διαγωνισμό. Ο βαθμός της ομαδικής εξαμηνιαίας εργασίας και του τελικού διαγωνισμού - καθένας απαραιτήτως υπεράνω της βάσης - έχει ισοβαρή καθένας συμμετοχή στη διαμόρφωση του τελικού βαθμού.

Πρόγραμμα Διδασκαλία